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FP25R12U1T4是IGBT模块IGBT模块25A 1200V，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装封装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供封装盒功能，如SmartPIM1，配置设计用于PIM三相输入整流器，以及190 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，该器件的集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，该器件具有1.85 V的集电极/发射极饱和电压，25℃时的连续集电极电流为39 a，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为20 V。
FP25R12KT4是IGBT模块IGBT 1200V 25A，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于160 W Pd功耗，数据表说明中显示了用于模块的封装情况，该模块提供SMD/SMT等安装方式功能，其最低工作温度范围为-40 C，最高工作温度范围+150 C，该器件也可用作+/-20V的最大栅极发射极电压。此外，栅极-发射极漏电流为100 nA，该器件在25 C时提供25 A的连续集电极电流，该器件具有3相配置，集电极-发射极电压VCEO最大值为1200 V，集电极/发射极饱和电压为1.85 V。
带有电路图的FP25R12KT4_B15，包括1.85V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200V集电极电压VCEO Max下工作，配置如数据表注释所示，用于双模块，提供100 nA的栅-发射极漏电流功能，最大栅-发射极电压设计为在20V下工作，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-40℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件采用模块封装盒，器件具有160 W的Pd功耗，产品为IGBT硅模块。
FP25R12KT4_B11，带EDA/CAD模型，包括SP001000972零件别名。
