A1P50S65M2-F
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 208瓦 供应商设备包装: ACEPACK1.
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 372.50234 | 372.50234 |
| 10+ | 347.51434 | 3475.14342 |
| 36+ | 343.54479 | 12367.61272 |
- 库存: 0
- 单价: ¥338.60558
-
数量:
- +
- 总计: ¥372.50
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 参数配置 三相逆变器
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- NTC热敏电阻 Yes
- 集电极击穿电压 650 V
- 集电极最大截止电流 100A.
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 最大集电极电流 (Ic) 50 A
- 最大功率 208瓦
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 50A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 4.15 nF @ 25 V
- 供应商设备包装 ACEPACK1.
- 色彩/颜色 灰色
A1P50S65M2-F 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | A1P8HV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.5~8皮法 额定电压: 500 V 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥412.8453 |
| A1P8 | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.5~8皮法 额定电压: 125伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥439.21085 |
| A1P12S | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.6～12皮法 额定电压: 125伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥470.31881 |
| A1P4 | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.45~4皮法 额定电压: 250伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥197.99191 |
| A1P12 | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.6～12皮法 额定电压: 125伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥241.57969 |
| A1P4HV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.45~4皮法 额定电压: 1000伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥258.81779 |
| A1P12HV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.6～12皮法 额定电压: 500 V 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥253.79347 |
| A1P12SHV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.6～12皮法 额定电压: 500 V 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥275.83189 |
| A1P4S | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.45~4皮法 额定电压: 250伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥321.72156 |
| A1P4SHV | 楼氏沃尔创 (Knowles Voltronics) | 电容阈值: 0.45~4皮法 额定电压: 1000伏 工作温度: -65摄氏度~125摄氏度 安装类别: 通孔 调整类型: 一侧 电介质材料: 聚四氟乙烯（PTFE） | ¥210.82092 |
A1P50S65M2-F所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，A1P50S65M2-F 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产，可通过久芯网进行购买。A1P50S65M2-F价格参考￥338.605575，你可以下载 A1P50S65M2-F中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询A1P50S65M2-F规格参数、现货库存、封装信息等信息！
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司，在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权（IP）组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统（So...
