简易IM™ 1B 600V PIM IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT3、发射极控制3二极管和NTC。
特色
- 低开关损耗
- 沟槽IGBT3
- 具有正温度系数的VCEsat
- 低VCEsat
- 低热电阻Al2O3衬底
- 紧凑型设计
- 焊料接触技术
- 由于集成了安装夹具,安装牢固
- 紧凑型模块概念
- 优化客户的开发周期时间和成本
- 配置灵活性
应用
潜在应用
起订量: 11
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
24+ | 263.06212 | 6313.49107 |
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简易IM™ 1B 600V PIM IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT3、发射极控制3二极管和NTC。
潜在应用
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。