简易IM™ 1B 1200 V，10 A三相输入整流器PIM（功率集成模块）IGBT模块，带快速TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制4二极管和NTC。也可作为PressFIT安装技术的变体提供：FP10R12W1T4_B11。
特色
- 低开关损耗
- 具有正温度系数的VCEsat
- 低VCEsat
- 低热电阻Al2O3衬底
- 紧凑型设计
- 焊料接触技术
- 由于集成了安装夹具，安装牢固
- 紧凑型模块概念
- 优化客户的开发周期时间和成本
- 配置灵活性
应用
- 电机控制和驱动
- 房间空调器
FP10R12W1T4PB11BPSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 20A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 30
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 30+ | 266.24900 | 7987.47012 |
- 库存: 0
- 单价: ¥266.24900
-
数量:
- +
- 总计: ¥7,987.47
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 参数配置 三相逆变器
- 集电极最大截止电流 1毫安
- NTC热敏电阻 Yes
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
- 输入值 三相桥式整流器
- 最大集电极电流 (Ic) 20A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.25V @ 15V, 10A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 600 pF @ 25 V
- 最大功率 20毫瓦
FP10R12W1T4PB11BPSA1 产品详情
FP10R12W1T4PB11BPSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FP10-250-B | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥53.8196 |
 | FP10-250 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥83.94521 |
 | FP12-200 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥53.81989 |
 | FP16-150-B | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥53.82003 |
 | FP10-600-B | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 6VA TH | ¥61.68372 |
 | FP16-150 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥62.0282 |
 | FP12-475 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 6VA TH | ¥96.25814 |
 | FP10-4800 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 48VA TH | ¥148.98645 |
 | FP12-3800 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 48VA TH | ¥148.98645 |
 | FP16-3000 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 48VA TH | ¥148.98645 |
FP10R12W1T4PB11BPSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FP10R12W1T4PB11BPSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FP10R12W1T4PB11BPSA1价格参考￥266.249004，你可以下载 FP10R12W1T4PB11BPSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FP10R12W1T4PB11BPSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
