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FF200R17KE4HOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1700伏 最大集电极电流 (Ic): 310 A 最大功率: 1250瓦 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

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1+ 1209.56430 1209.56430
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 参数配置 2独立
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
  • 集电极击穿电压 1700伏
  • 最大集电极电流 (Ic) 310 A
  • 最大功率 1250瓦
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 200A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 18 nF @ 25 V
  • 样式 -

FF200R17KE4HOSA1 产品详情

62 mm 1700 V,200 A双IGBT模块,带快速TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制的4二极管。

特色

  • 延长工作温度Tvj op
  • 低VCEsat
  • 无与伦比的鲁棒性
  • 具有正温度系数的VCEsat
  • 隔离底板
  • 标准外壳
  • 4 kV AC 1分钟绝缘
  • CTI>400的包装
  • 高爬电和净空距离
  • 灵活性
  • 最佳电气性能
  • 最高可靠性

应用

  • 电机控制和驱动
  • 风能系统
  • 牵引
  • 太阳能系统解决方案
FF200R17KE4HOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FF200R17KE4HOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF200R17KE4HOSA1价格参考¥1209.564300,你可以下载 FF200R17KE4HOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF200R17KE4HOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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