A1P25S12M3
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 25 A 最大功率: 197 W 供应商设备包装: ACEPACK1.
- 品牌: 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
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起订量: 36
数量 | 单价 | 合计 |
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36+ | 326.67492 | 11760.29730 |
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规格参数
- 包装数量 -
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 参数配置 三相逆变器
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
- NTC热敏电阻 Yes
- 最大集电极电流 (Ic) 25 A
- 集电极最大截止电流 100A.
- 制造厂商 意法半导体 (STMicroelectronics)
- 供应商设备包装 ACEPACK1.
- 最大功率 197 W
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.45V @ 15V, 25A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 1.55 nF@25 V
- 色彩/颜色 黑色
A1P25S12M3 产品详情
意法半导体?ACEPACK?IGBT模块是为解决电源管理解决方案和工业应用而开发的一系列新型塑料功率模块。ACEPACK?1和ACEPACK?引入了2个封装,包括变频器逆变器制动器(CIB)和集成了先进沟槽栅极场停止技术的6个封装拓扑。这些ACEPACK IGBT模块具有ACEPACK 1或ACEPACK 2电源模块、集成负温度系数(NTC)和CIB或六组拓扑结构。这些模块通过代表传导损耗和开关损耗之间的最佳折衷,以最大化20kHz的效率,涵盖了新IGBT技术的适当使用。这些IGBT模块非常适用于工业电机驱动、太阳能电池板、焊接和逆变器。
A1P25S12M3所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,A1P25S12M3 由 意法半导体 (STMicroelectronics) 设计生产,可通过久芯网进行购买。A1P25S12M3价格参考¥296.977007,你可以下载 A1P25S12M3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询A1P25S12M3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
意法半导体 (STMicroelectronics)
意法半导体是一家全球独立的半导体公司,在开发和提供微电子应用领域的半导体解决方案方面处于领先地位。硅和系统专业知识、制造实力、知识产权(IP)组合和战略合作伙伴的无与伦比的结合使该公司处于片上系统(So...