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APTGT100A102G带有引脚细节，包括SP2封装外壳，其设计用于通孔安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP2，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及480W最大功率，该设备也可作为140A电流收集器Ic最大值使用。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供50μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGLG80HR120CT3G和用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、80A Vce的最大Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供500W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该装置也可以用作通孔安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.6nF@25V，该器件提供标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为150μa。
APTGLG80HR120T3G，带有MICROSEMI制造的电路图。APTGLG80HR120T3G采用标准封装，是IC芯片的一部分。
