经济双重™ 3 1700 V,225 A半桥双IGBT模块,具有低饱和和快速TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制3二极管。也可根据PressFIT安装或热接口材料提供。
特色
- 直流和交流易于分离
- 优化散热片热阻情况
- 紧凑型逆变器设计的最高功率密度
- 紧凑型模块
- 易于和最可靠的组装
- 无需插头和电缆
- 非常适合低电感系统设计
应用
- 电机控制和驱动
- 不间断电源(UPS)
- 牵引
- 风能系统
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
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1+ | 1386.87049 | 1386.87049 |
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经济双重™ 3 1700 V,225 A半桥双IGBT模块,具有低饱和和快速TRENCHSTOP™ IGBT4和发射极控制3二极管。也可根据PressFIT安装或热接口材料提供。
1999年4月1日,西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司,致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。