9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTGT100DA120TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT100DA120TG参考价格为1177.1857美元。其他APTGT100DA120TG封装/规格：IGBT模块1200V 140A 480W SP4。您可以下载APTGT100DA120TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT100BB60T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，设计用于通孔安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计用于半桥，以及340W最大功率，该设备也可用作150A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100DA120T1G是IGBT 1200V 140A 480W SP1，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP1，提供480W等功率最大值功能，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为140A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT100DA120D1G是IGBT 1200V 150A 520W D1，包括单一配置，它们设计为以3mA集流器最大截止电流运行，集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件最大功率为520W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
