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APTGT100DA120T1G是IGBT 1200V 140A 480W SP1，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，数据表中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准、配置等输入功能，设计为单台工作，以及480W最大功率，该设备也可以用作140A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100DA120TG是IGBT 1200V 140A 480W SP4，包括1200V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP4，提供480W等最大功率功能，包壳设计为在SP4中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为140A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT100DA120D1G是IGBT 1200V 150A 520W D1，包括单一配置，它们设计为以3mA集流器最大截止电流运行，集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件最大功率为520W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
