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APTGT100DA120TG是IGBT 1200V 140A 480W SP4,包括SP4封装外壳,它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP4中使用的供应商设备包,该设备提供标准、配置等输入功能,设计为单台工作,以及480W最大功率,该设备也可以用作140A电流收集器Ic Max。此外,电压收集器-发射器击穿最大值为1200V,该设备提供250μA电流收集器截止最大值,该设备具有IGBT类型的沟槽场停止,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,100A,输入电容Cies Vce为7.2nF@25V,NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100DA170TG带有用户指南,包括1700V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在2.4V@15V、100A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包,提供功率最大值功能,如560W,包壳设计为在SP4中工作,以及Yes NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为9nF@25V,该设备提供标准输入,该设备具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为150A,集电器截止值最大值为250μa,配置为单一。
APTGT100DA170D1G是IGBT 1700V 200A 695W D1,包括单一配置,它们设计为以3mA电流收集器最大截止电流运行,电流收集器Ic最大值如200A中使用的数据表注释所示,该200A提供IGBT类型的功能,如沟槽磁场停止,输入设计为标准工作,以及8.5nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用D1封装,该器件的最大功率为695W,供应商器件封装为D1,最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V,100A,集电极-发射极击穿最大值为1700V。