EconoPIM公司™ 3 1200 V，100 A三相PIM IGBT模块，带快速TRENCHSTOP™ IGBT4、发射极控制4二极管和NTC。集成了整流器和制动斩波器的功率集成模块（PIM）可节省系统成本。它们有Econo2和Econo3外壳，也有焊接或压接引脚。
特色
- 低杂散电感模块设计
- 高可靠性和功率密度
- 铜基板可优化散热
- 可焊接引脚
- 低开关损耗
- 高开关频率
- 符合RoHS的模块
- 紧凑型模块概念
- 优化客户的开发周期时间和成本
- 配置灵活性
应用
- 电机控制和驱动
- 工业加热和焊接
- 房间空调器
FP100R12KT4BOSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 100 A 最大功率: 515 W 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1679.04907 | 1679.04907 |
- 库存: 13
- 单价: ¥1,679.04908
-
数量:
- +
- 总计: ¥1,679.05
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 参数配置 三相逆变器
- 集电极最大截止电流 1毫安
- NTC热敏电阻 Yes
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
- 最大集电极电流 (Ic) 100 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.2V @ 15V, 100A
- 最大功率 515 W
- 输入电容 (Cies) @ Vce 6.3 nF @ 25 V
- 样式 -
FP100R12KT4BOSA1 产品详情
FP100R12KT4BOSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FP10-250-B | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥53.8196 |
 | FP10-250 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥83.94521 |
 | FP12-200 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥53.81989 |
 | FP16-150-B | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥53.82003 |
 | FP10-600-B | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 6VA TH | ¥61.68372 |
 | FP16-150 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 2.5VA TH | ¥62.0282 |
 | FP12-475 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 6VA TH | ¥96.25814 |
 | FP10-4800 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 48VA TH | ¥148.98645 |
 | FP12-3800 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 48VA TH | ¥148.98645 |
 | FP16-3000 | 三合磁学 (Triad Magnetics) | PWR XFMR LAMINATED 48VA TH | ¥148.98645 |
FP100R12KT4BOSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FP100R12KT4BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FP100R12KT4BOSA1价格参考￥1679.049078，你可以下载 FP100R12KT4BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FP100R12KT4BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
