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APTGT100A60T1G是IGBT PHASE LEG 600V 150A SP1，包括SP1封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP1，提供标准输入功能，配置设计为半桥工作，以及340W最大功率，该器件还可以用作150A集流器Ic最大值。此外，电压集流器-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集流器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100A60TG是IGBT模块TRENCH PH LEG SP4，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以1.9V@15V、100A Vce运行，供应商设备包如数据表注释所示，用于SP4，提供340W等最大功率功能，包壳设计为在SP4中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT100BB60T3G带有电路图，包括半桥配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示，该150A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及6.1nF@25V输入电容Cies Vce，该装置也可以用作通孔安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装外壳，该器件的最大功率为340W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT100A602G，带EDA/CAD型号，包括沟槽场阻IGBT型，设计用于通孔安装型，数据表注释中显示了用于标准的输入，该标准提供了SP2等封装外壳功能，供应商设备包设计用于SP2，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作半桥配置。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，该设备提供6.1nF@25V输入电容Cies Vce，该设备具有50μa的电流收集器截止最大值，功率最大值为340W，电流收集器Ic最大值为150A，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A。
