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APTGT100H60TG,带引脚细节,包括SP4封装外壳,设计用于底盘安装安装型,供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示,提供标准等输入功能,配置设计用于全桥逆变器,以及340W最大功率,该设备也可用作150A电流收集器Ic Max。此外,集电体-发射极击穿最大值为600V,该器件提供250μA集电体截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V,100A,输入电容Cies Vce为6.1nF@25V,NTC热敏电阻为Yes。
APTGT100SK120TG带有用户指南,其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行,数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包,提供480W等最大功率功能,包壳设计为在SP4中工作,以及Yes NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为7.2nF@25V,该设备提供标准输入,该设备具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为140A,集电器截止值最大值为250μa,配置为单一。
APTGT100SK120D1G是IGBT 1200V 150A 520W D1,包括单一配置,它们设计为以3mA集流器最大截止电流运行,集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示,提供IGBT类型的功能,如沟槽磁场停止,输入设计为标准工作,以及7nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用D1封装,该器件最大功率为520W,供应商器件封装为D1,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,100A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。