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APGT100H60T3G是IGBT全桥600V 150A SP3，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了用于SP3的封装盒，该封装盒提供了底盘安装等安装类型功能，供应商设备包设计为在SP3中工作，以及标准输入，该设备也可以用作全桥逆变器配置。此外，功率最大值为340W，该器件提供150A集流器Ic Max，该器件具有600V的集流器-发射极击穿最大值，集流器截止最大值为250μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为340 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为150 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APTGT100H120G带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、100A Vce运行，数据表说明中显示了SP6中使用的供应商设备包，提供480W等最大功率功能，包壳设计为在SP6中工作，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为7.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为140A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT100H60TG带有电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器截止电流最大值下工作，集流器Ic最大值如150A中使用的数据表注释所示，该150A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及6.1nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为340W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，100A，集电器-发射极击穿最大值为600V。
APTGT100H170G，带EDA/CAD型号，包括沟槽式场阻IGBT型，设计用于标准输入，SP6中使用的数据表注释中显示了封装情况，该SP6提供供应商设备封装功能，如SP6，NTC热敏电阻设计用于否，以及全桥逆变器配置，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9nF@25V，该器件的最大功率为560W，该器件具有350μa的集流器截止电流最大值，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，且集流器-发射极击穿电流最大值为1700V，集流器Ic最大值为150A。
