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APTGT100TL170G，带引脚细节，包括模块封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP6，提供标准等输入功能，配置设计用于三电平逆变器，以及560W最大功率，该设备也可用作150A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供350μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，100A，输入电容Cies Vce为9nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT100TL60T3G带有用户指南，包括600V集电极-发射极击穿最大值，设计用于在1.9V@15V、100A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供340W等最大功率功能，包壳设计用于SP3，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.1nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为150A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三电平逆变器。
APTGT150A1202G带有电路图，包括半桥配置，它们设计为在50μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如220A中使用的数据表注释所示，该220A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及10.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP2封装盒，该器件的最大功率为690W，供应商器件封装为SP2，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
