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APTGT150A120T3AG是IGBT阵列1200V 220A 833W SP3,包括SP3封装外壳,它们设计为与底盘安装安装型一起工作,供应商设备封装如数据表注释所示,用于SP3,提供标准、配置等输入功能,设计用于半桥,以及833W最大功率,该器件还可以用作220A集流器Ic最大值。此外,电压集流器-发射极击穿最大值为1200V,该器件提供250μA集流器截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,150A,输入电容Cies Vce为10.7nF@25V,NTC热敏电阻为Yes。
APTGT150A120TG带有用户指南,其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在2.1V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作,数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包,提供690W等最大功率功能,包壳设计为在SP4中工作,以及Yes NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为10.7nF@25V,该器件采用标准输入,该器件具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为220A,集电器截止值最大值为250μa,配置为半桥。
APTGT150A120G是IGBT模块沟槽相腿SP6,包括半桥配置,它们设计用于350μa集流器最大截止电流,集流器Ic最大值如数据表注释所示,用于220A,提供IGBT类型功能,如沟槽磁场停止,输入设计用于标准,以及10.7nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用SP6封装盒,该器件的最大功率为690W,供应商器件封装为SP6,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,150A,集电极-发射极击穿最大值为1200V。