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APTGT150A60T1G是IGBT PHASE LEG 600V 225A SP1，包括SP1封装盒，它们设计为与底盘安装型一起运行，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP1，提供标准输入功能，配置设计为半桥工作，以及480W最大功率，该器件还可以用作225A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT150A60T3AG是MOD IGBT 600V 225A SP3，包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP3，提供600W等最大功率功能，包壳设计为在SP3中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为9.2nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为225A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT150A60TG带电路图，包括半桥配置，设计用于250μa集流器最大截止电流，数据表注释中显示了225A中使用的集流器Ic最大值，该225A提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及9.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件最大功率为480W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
