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APTGT150DA170G是IGBT 1700V 250A 890W SP6，包括SP6封装外壳，它们设计为与底盘安装型一起工作。数据表中显示了SP6中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为单台工作，以及890W最大功率，该设备也可以用作250A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供350μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，150A，输入电容Cies Vce为13.5nF@25V，NTC热敏电阻为否。
APTGT150DA170D1G是IGBT 1700V 280A 780W D1，包括1700V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、150A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于D1的供应商设备包，提供功率最大值功能，如780W，包壳设计用于D1，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为13nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为280A，集电器截止值最大值为4mA，配置为单一。
APTGT150DA120TG，带电路图，包括单组态，设计用于350μa集电器最大截止电流，数据表注释中显示了220A中使用的集电器Ic最大值，该220A提供IGBT类型的功能，如NPT，输入设计用于标准，以及10.7nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为690W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，150A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
