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NXH100B120H3Q0PTG

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 2独立 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 50 A 最大功率: 186 W 供应商设备包装: 22-PIM (55x32.5)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 573.49282 573.49282
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 参数配置 2独立
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 输入值 标准
  • NTC热敏电阻 No
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 集电极最大截止电流 200A.
  • 最大集电极电流 (Ic) 50 A
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.3V @ 15V, 50A
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 最大功率 186 W
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 9.075 nF @ 20 V
  • 供应商设备包装 22-PIM (55x32.5)

NXH100B120H3Q0PTG 产品详情

NXH100B120H3Q0PTG所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,NXH100B120H3Q0PTG 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。NXH100B120H3Q0PTG价格参考¥573.492822,你可以下载 NXH100B120H3Q0PTG中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询NXH100B120H3Q0PTG规格参数、现货库存、封装信息等信息!

安盛美 (onsemi)

安盛美 (onsemi)

onsemi正在推动节能创新,使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合,以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...

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