1200V IHM 130mm双IGBT模块，带Trench IGBT3-适合您的行业应用的最佳解决方案
特色
- 低电压（cesat）
- 沟槽IGBT 3
- CTI>400的包装
- 铜基板
- UL认可
- 紧凑型逆变器设计的高功率密度
- 标准化住房
应用
潜在应用
FF1200R12IE5BPSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 2400 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 10334.31457 | 10334.31457 |
- 库存: 3
- 单价: ¥10,334.31458
-
数量:
- +
- 总计: ¥10,334.31
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 集电极击穿电压 1200伏
- 集电极最大截止电流 5 mA
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- NTC热敏电阻 Yes
- 参数配置 半桥
- 最大功率 20毫瓦
- 工作温度 -40摄氏度~175摄氏度
- 最大集电极电流 (Ic) 2400 A
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.15V @ 15V, 1200A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 65.5 nF @ 25 V
FF1200R12IE5BPSA1 产品详情
FF1200R12IE5BPSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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FF1200R12IE5BPSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FF1200R12IE5BPSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FF1200R12IE5BPSA1价格参考￥10334.314578，你可以下载 FF1200R12IE5BPSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FF1200R12IE5BPSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
