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F3L75R12W1H3_B27，带引脚细节，包括IGBT硅模块产品，它们设计为与SP001056132零件别名一起工作，安装样式如数据表注释所示，用于夹具，夹具提供封装盒功能，如EasyPack1B，配置设计为在3相工作，以及275 W Pd功耗，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，该器件提供1.2 kV集电极-发射极电压VCEO Max，该器件的集电极-发射器饱和电压为1.45 V，25℃时的连续集电极电流为45 a，栅极-发射极漏电流为100 nA，最大栅极-发射器电压为+/-20 V。
F3L50R06W1E3-B11，带有Infineon制造的用户指南。F3L50R06W1E3-B11采用模块封装，是IC芯片的一部分。
F3L75R07W2E3_B11，带有Infineon制造的电路图。是IGBT模块的一部分，支持IGBT模块IGBT模块650V 75A。
F3L75R07W2E3-B11，带有FAIRCHILD制造的EDA/CAD模型。F3L75R07W2E3-B11采用IGBT封装，是IC芯片的一部分。
