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APTFQ25H120T2G是IGBT 1200V 40A 227W模块，包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了SP2中使用的封装盒，提供了安装类型功能，如通孔，供应商设备包设计为在SP2中工作，以及标准输入，该设备也可以用作全桥配置。此外，功率最大值为227W，该设备提供40A电流收集器Ic Max，该设备具有1200V电压收集器-发射器击穿最大值，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为NPT和Fieldstop，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，输入电容Cies Vce为2.02nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为227 W，最大工作温度范围为+100 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1.2 kV，集电极/发射极饱和电压为2.1 V，25 C时的连续集电极电流为40 A，栅极-发射极漏电流为150 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20V。
APTGL120TDU120TPG带有用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.15V@15V、100A Vce运行，数据表说明中显示了用于SP6-P的供应商设备包，该SP6-P提供最大功率功能，如517W，包壳设计为在模块中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为6.2nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为140A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三重双共源。
APTGL120TA120TPG是IGBT4 PHASE LEG 1200V 140A SP6，包括三相配置，它们设计用于250μa电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值显示在140A中使用的数据表注释中，该140A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准工作，以及6.2nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP6封装外壳，该器件最大功率为517W，供应商器件封装为SP6-P，最大Vge Ic上的Vce为2.15V@15V，100A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
