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APTGT200H60G,带引脚细节,包括SP6封装外壳,设计用于底盘安装安装型,供应商设备封装如数据表注释所示,用于SP6,提供标准等输入功能,配置设计用于全桥逆变器,以及625W最大功率,该设备也可作为290A电流收集器Ic Max使用。此外,集电体-发射极击穿最大值为600V,该器件提供250μA集电体截止最大值,该器件具有IGBT型沟槽场阻,最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V,200A,输入电容Cies Vce为12.3nF@25V,NTC热敏电阻为否。
APTGT200H120G带有用户指南,其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值,它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、200A Vce运行,数据表说明中显示了用于SP6的供应商设备包,提供功率最大值功能,如890W,包壳设计用于SP6,以及无NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装型。此外,输入电容Cies Vce为14nF@25V,该设备提供标准输入,该设备具有IGBT型沟槽场阻,集电器Ic最大值为280A,集电器截止值最大值为350μa,配置为全桥逆变器。
APTGT200SK120D3G带有电路图,包括单配置,它们设计为在6mA集流器最大截止电流下工作,集流器Ic最大值如数据表注释所示,用于300A,提供IGBT类型的功能,如沟槽场阻,输入设计为标准工作,以及14nF@25V输入电容Cies Vce,该设备也可以用作底盘安装型。此外,NTC热敏电阻为否,该器件采用D-3模块封装外壳,该器件的最大功率为1050W,供应商器件封装为D3,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,200A,集电器-发射器击穿最大值为1200V。
APTGT200SK120G是IGBT 1200V 280A 890W SP6,包括沟槽式场阻IGBT类型,设计用于标准输入,SP6中使用的数据表说明中显示了封装情况,提供SP6等供应商设备封装功能,配置设计用于单台,以及无NTC热敏电阻,该设备也可以用作底盘安装安装型。此外,功率最大值为890W,该器件提供350μA集流器截止最大值,该器件的集流器Ic最大值为280A,最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V,200A,输入电容Cies Vce为14nF@25V,集流器-发射极击穿最大值为1200V。