9icnet为您提供由Littelfuse股份有限公司设计和生产的MG12200D-BN2MM，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。MG12200D-BN2MM参考价格139.02000美元。Littelfuse股份有限公司MG12200D-BN2MM封装/规格：IGBT模块1200V 290A 1050W D3。您可以下载MG12200D-BN2MM英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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MG1275W-XBN2MM，带有引脚细节，包括MG1275W-XXN2MM系列，它们设计用于IGBT硅模块产品，包装如数据表注释所示，用于散装，提供单位重量功能，如10.582189盎司，安装类型设计用于螺钉，以及模块包装箱，该设备也可以用作底盘安装安装类型。此外，供应商设备包为模块，该设备采用三相桥式整流器输入，该设备具有带制动器的三相逆变器，最大功率为348W，集电器Ic最大值为105A，集电器发射器击穿最大值为1200V，集电器截止最大值为1mA，最大Vge Ic上的Vce为1.7V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.3nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为348 W，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为1200 V，集电极/发射极饱和电压为1.9 V，25 C下的连续集电极电流为105 A，并且栅极发射极漏电流为400nA，并且最大栅极发射极电压为20V。
带有用户指南的MG1275W-XN2MM，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，设计用于在1.7V@15V、75A Vce（最大Vge Ic）下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于10.582189盎司，提供供应商设备包功能，如模块，系列设计用于MG1275W-XX2MM，以及IGBT硅模块产品，该设备也可以用作368W最大功率。此外，Pd功耗为368W，该设备采用散装包装，该设备具有封装盒模块，NTC热敏电阻为是，安装类型为螺钉，安装类型是底盘安装，其最低工作温度范围为-40℃，最高工作温度范围+125℃，最大栅极发射极电压为20V，输入电容Cies Vce为5.3nF@25V，输入为标准，IGBT类型为沟槽式场阻，栅极发射极漏电流为400nA，集流器Ic最大值为105A，集流管截止电流最大值为1mA，25 C时的连续集流器电流为105A。配置为三相逆变器，集电极-发射极电压VCEO Max为1200V，集电极-发射器饱和电压为1.9V。
带有电路图的MG1275H-XN2MM，包括1.9 V集电极-发射极饱和电压，它们设计为在1200 V集电极电压VCEO最大值下工作，数据表说明中显示了用于三相逆变器的配置，该逆变器提供25 C的连续集电极电流，如105 a，集电极截止电流最大值设计为1mA，该器件还可以用作400nA栅极发射极漏电流。此外，IGBT类型为沟槽式场阻，该器件提供标准输入，该器件的输入电容Cies Vce为5.3nF@25V，最大栅极发射极电压为20V，最大工作温度范围为+125 C，最小工作温度范围-40 C，安装类型为底盘安装，安装方式为螺钉式，NTC热敏电阻为是，包装箱为模块，包装为散装，Pd功耗为348W，最大功率为348W；产品为IGBT硅模块，系列为MG1275H-XN2MM，供应商设备包装为模块，单位重量为6.349313盎司，最大Vge Ic上的Vce为1.7V@15V，75A，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V。
MG1275S-BA1MM带有EDA/CAD型号，包括标准输入，设计为采用螺钉安装式操作，数据表注释中显示了S-3模块中使用的封装盒，该模块提供S3等供应商设备封装功能，NTC热敏电阻设计为可在No以及MG1275S系列中使用，该设备也可作为IGBT硅模块产品。此外，该配置为半桥，该设备为机箱安装安装型，该设备具有大容量封装，最大功率为630W，Pd功耗为630 W，集流器截止最大值为500μa，单位重量为5.643834 oz，输入电容Cies Vce为5.52nF@25V，最大栅极-发射极电压为20 V，电压集电极-发射极击穿最大值为1200V，集电极-发射器电压VCEO最大值为1200 V，电流集电极Ic最大值为105A，25℃时的连续集电极电流为105 A，栅极-发射极漏电流为100 nA，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，75A（Typ），集电极/发射极饱和电压为1.8 V，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-40℃。
