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FF225R12ME3BOSA1
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FF225R12ME3BOSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 半桥 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 325 A 最大功率: 1150瓦 供应商设备包装: Module
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 3

数量 单价 合计
10+ 1156.69113 11566.91130
  • 库存: 183
  • 单价: ¥771.07913
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,313.24
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规格参数

  • 包装数量 -
  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • IGBT型 场终止沟道
  • 集电极击穿电压 1200伏
  • 集电极最大截止电流 5 mA
  • 输入值 标准
  • 工作温度 -40摄氏度~125摄氏度
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 供应商设备包装 Module
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 参数配置 半桥
  • 部件状态 不适用于新设计
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 2.15V @ 15V, 225A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 16 nF @ 25 V
  • 最大功率 1150瓦
  • 最大集电极电流 (Ic) 325 A

FF225R12ME3BOSA1 产品详情

FF225R12ME3BOSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FF225R12ME3BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FF225R12ME3BOSA1价格参考¥771.079134,你可以下载 FF225R12ME3BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FF225R12ME3BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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