9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTGT25DA120D1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT25DA120D1G参考价格为643.066美元。其他APTGT25DA120D1G封装/规格：IGBT模块1200V 40A 140W D1。您可以下载APTGT25DA120D1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT25A20T1G带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及156W最大功率，该设备还可以用作40A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，输入电容Cies Vce为1.8nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT225SK170G带有用户指南，包括1700V电压收集器发射器最大击穿电压，它们设计为在2.4V@15V、225A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP6，提供功率最大功能，如1250W，包壳设计用于SP6以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为20nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为340A，集电器截止值最大值为500μa，配置为单一。
APTGT25A120D1G是IGBT模块沟槽相腿D1，包括半桥配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于40A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及1.8nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为140W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，25A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
