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APTGT300A60D3G，带引脚细节，包括D-3模块封装外壳，设计用于底盘安装安装型，数据表说明中显示了D3中使用的供应商设备封装，提供标准等输入功能，配置设计用于半桥，以及940W最大功率，该设备也可作为400A电流收集器Ic Max使用。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供500μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，300A，输入电容Cies Vce为18.5nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APTGT300A60TG带有用户指南，其中包括600V集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在1.9V@15V、300A Vce的最大Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供935W等最大功率功能，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为18.4nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为430A，集电器截止值最大值为350μa，配置为半桥。
APTGT300A60G是IGBT模块沟槽相腿SP6，包括半桥配置，设计用于350μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于430A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及24nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用SP6封装盒，该器件最大功率为1150W，供应商器件封装为SP6，最大Vge Ic上的Vce为1.8V@15V，300A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
