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APTGT30A170T1G带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在半桥中工作，以及210W最大功率，该设备也可以用作45A集流器Ic Max。此外，电压集电极-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供250μA电流集电极截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，输入电容Cies Vce为2.5nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT30A60T1G带用户指南，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，设计用于1.9V@15V，30A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，提供功率最大值功能，如90W，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT30A170D1G是IGBT模块沟槽相腿D1，包括半桥配置，它们设计为在3mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于45A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及2.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为210W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
