9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTGT30H60T3G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT30H60T3G参考价格为550.526美元。其他APTGT30H60T3G封装/规格：IGBT模块600V 50A 90W SP3。您可以下载APTGT30H60T3G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT30DDA60T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在双升压斩波器中工作，以及90W最大功率，该设备也可以用作50A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT30DSK60T3G带用户指南，包括600V电压收集器发射器最大击穿电压，设计用于1.9V@15V，30A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供功率最大功能，如90W，包壳设计用于SP3，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为双降压斩波器。
APTGT30DA170T1G带有电路图，包括单组态，设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于45A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及2.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为210W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
APTGT30DA170D1G是IGBT 1700V 45A 210W D1，包括沟槽式场阻IGBT类型，设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可作为底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为45A，该设备提供3mA集电器截止最大值，该设备具有210W的最大功率，输入电容Cies Vce为2.5nF@25V，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，集电器-发射极击穿最大值为1700V。
