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APTGT30H170T3G，带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了用于SP3的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及210W最大功率，该设备也可以用作45A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1700V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，30A，输入电容Cies Vce为2.5nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT30H60T1G带用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于1.9V@15V，30A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP1的供应商设备包，提供功率最大功能，如90W，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT30H60T3G带电路图，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器截止电流最大值下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于50A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及1.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装外壳，该器件的最大功率为90W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
