9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTGT35A120D1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT35A20D1G参考价格为96.971334美元。其他APTGT35A20D1G封装/规格：IGBT模块1200V 55A 205W D1。您可以下载APTGT35A20D1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT30TL60T3G带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计为在三电平逆变器中工作，以及90W最大功率，该设备也可以用作50A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT30X60T3G，带用户指南，包括600V集电器-发射器击穿最大值，设计用于1.9V@15V，30A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了用于SP3的供应商设备包，提供功率最大值功能，如90W，包壳设计用于SP3，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为50A，集电器截止值最大值为250μa，配置为三相逆变器。
APTGT30TL601G带有电路图，包括三电平逆变器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于50A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及1.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件为SP1封装盒，该器件最大功率为90W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
