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APTGT30X60T3G，带有引脚细节，包括SP3封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP3，提供标准等输入功能，配置设计为在三相逆变器中工作，以及90W最大功率，该设备也可以用作50A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，30A，输入电容Cies Vce为1.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT35A20T1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG SP1，包括1200V电压集电极-发射极击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、35A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP1，提供208W等最大功率功能，包壳设计为在SP1中工作，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为2.5nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为55A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT35A20D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括半桥配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如55A中使用的数据表注释所示，该55A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及2.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为205W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，35A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
