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FD150R12RT4是IGBT模块IGBT 1200V 150A，包括SMD/SMT安装型，它们设计用于790 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max设计用于1200 V，以及2.15 V集电极-发射器饱和电压，该器件也可以在25℃时用作150 A的连续集电极电流。此外，栅极-发射极漏电流为100 nA，该器件的最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FD15P05和FAICHILD制造的用户指南。FD15P05在TO-252封装中提供，是FET的一部分-单个。
FD1600/1200R17HP4_B2，带有Infineon制造的电路图。是IGBT模块的一部分，支持IGBT模块IGBT模块1600A 1700V。
