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APTGT50A10T1G，带引脚细节，包括SP1封装外壳，其设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供了标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及277W最大功率，该设备还可以用作75A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50A120TG带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作。数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，该设备包提供277W等功率最大值功能，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APGT50A120D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括半桥配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及3.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为270W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
