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APTGT50A170T1G带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供了标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及312W最大功率，该设备还可以用作75A集流器Ic Max。此外，电压集电极-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供250μA电流集电极截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50A170TG带有用户指南，包括1700V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供功率最大值功能，如312W，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT50A60T1G带有电路图，包括半桥配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值显示在80A中使用的数据表注释中，该80A提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为176W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
