GSID150A120S6A4
- 描述:参数配置: 单个的 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 275 A 最大功率: 1035瓦 供应商设备包装: Module
- 品牌: 赛米奇公司 (SemiQ)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 4
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 4+ | 768.63465 | 3074.53862 |
- 库存: 0
- 单价: ¥768.63466
-
数量:
- +
- 总计: ¥3,074.54
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规格参数
- 部件状态 可供货
- 集电极击穿电压 1200伏
- 输入值 标准
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 供应商设备包装 Module
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.9V@15V，150A
- 集电极最大截止电流 1毫安
- 参数配置 单个的
- IGBT型 -
- NTC热敏电阻 Yes
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度
- 制造厂商 赛米奇公司 (SemiQ)
- 最大集电极电流 (Ic) 275 A
- 最大功率 1035瓦
- 输入电容 (Cies) @ Vce 20.2 nF @ 25 V
- 色彩/颜色 Yellow
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 | GSIB2540-E3/45 | 威世二极管 (Vishay General) | 二极管种类: 单相 技术: 标准 最大反向峰值电压: 400伏 整流平均值 (Io): 3.5 A 供应商设备包装: GSIB-5S 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥21.94599 |
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GSID150A120S6A4所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，GSID150A120S6A4 由 赛米奇公司 (SemiQ) 设计生产，可通过久芯网进行购买。GSID150A120S6A4价格参考￥768.634655，你可以下载 GSID150A120S6A4中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询GSID150A120S6A4规格参数、现货库存、封装信息等信息！
赛米奇公司 (SemiQ)
SemiQ设计、开发和制造碳化硅（SiC）功率半导体以及150毫米SiC外延片。SiC二极管和MOSFET有分立和模块两种形式，也有裸芯片和晶圆形式。SemiQ还提供电源转换应用专业知识，包括子系统设计...
