9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTGT50DA170T1G，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT50DA170T1G参考价格为634.4469美元。其他APTGT50DA170T1G封装/规格：IGBT模块1700V 75A 312W SP1。您可以下载APTGT50DA170T1G英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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APTGT50A170TG带有引脚细节，包括SP4封装外壳，设计用于底盘安装安装型，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及312W最大功率，该设备也可用作75A电流收集器Ic Max。此外，电压集电极-发射极击穿最大值为1700V，该器件提供250μA电流集电极截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50A60T1G带用户指南，包括600V电压集电极-发射极击穿最大值，设计用于1.9V@15V，50A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，提供功率最大值功能，如176W，包壳设计用于SP1，以及是NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为80A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT50DA120TG带电路图，包括单组态，设计用于250μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计为标准工作，以及3.6nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装外壳，该器件的最大功率为277W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
APTGT50DA120D1G是IGBT 1200V 75A 270W D1，包括沟槽式场阻IGBT类型，它们设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可以用作底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为75A，该设备提供5mA集电器截止最大值，该设备具有3.6nF@25V输入电容Cies Vce，功率最大值为270W，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，集电器-发射极击穿最大值为1200V。
