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APTGT50DH120TG是IGBT MOD TRENCH ASYM BRIDGE SP4，包括SP4封装盒，它们设计为与底盘安装型一起工作，供应商设备封装如SP4中使用的数据表注释所示，提供输入功能，如标准，配置设计为在非对称桥中工作，以及277W最大功率，该器件还可以用作75A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA集流管截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50DH170TG带有用户指南，包括1700V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.4V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，供应商设备包如数据表说明所示，用于SP4，提供312W等功率最大功能，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，该器件提供标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为不对称桥。
APTGT50DH60T1G带有电路图，包括非对称桥配置，它们设计用于250μa集流器最大截止电流，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于80A，提供IGBT类型的功能，如沟槽场阻，输入设计用于标准，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP1封装方案，该器件的最大功率为176W，供应商器件封装为SP1，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
APTGT50DH60TG，带EDA/CAD型号，包括Yes NTC热敏电阻，设计用于沟槽式场阻IGBT型，输入显示在数据表注释中，用于标准，提供SP4等封装外壳功能，供应商设备封装设计用于SP4，以及底盘安装安装型，该设备也可以用作不对称桥配置。此外，集电器Ic最大值为80A，该器件提供600V电压集电器-发射器击穿最大值，该器件具有3.15nF@25V的输入电容Cies Vce，集电器截止最大值为250μa，功率最大值为176W，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A。
