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APTGT50H60T1G带有引脚细节，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准等输入功能，配置设计为在全桥逆变器中工作，以及176W最大功率，该设备也可以用作80A电流收集器Ic Max。此外，集电体-发射极击穿最大值为600V，该器件提供250μA集电体截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场截止，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT50H60T2G带用户指南，包括600V集电极-发射极最大击穿电压，设计用于1.9V@15V，50A Vce on Max Vge Ic，数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，提供176W等功率最大功能，包壳设计用于SP2，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.15nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为80A，集电器截止值最大值为250μa，配置为全桥逆变器。
APTGT50H60T3G是POWER MOD IGBT3 FULL BRIDGE SP3，包括全桥逆变器配置，它们设计为在250μa集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于80A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及3.15nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP3封装外壳，该器件的最大功率为176W，供应商器件封装为SP3，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为600V。
