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APTGT50SK170T1G是IGBT 1700V 75A 312W SP1，其中包括IGBT硅模块产品，它们设计为采用螺钉安装方式运行，数据表说明中显示了用于SP1的包装箱，该包装箱提供安装类型功能，如底盘安装，供应商设备包设计为在SP1中工作，该设备也可以用作单一配置。此外，功率最大值为312W，该设备提供75A集流器Ic Max，该设备具有1700V的集流器-发射极击穿最大值，集流器截止最大值为250μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，输入电容Cies Vce为4.4nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为312W，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-40℃，集电极-发射极电压VCEO Max为1.7 kV，集电极/发射极饱和电压为2 V，25℃时的连续集电极电流为75 A，栅极-发射极漏电流为400 nA，最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
APTGT50SK120TG和用户指南，包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、50A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供277W等最大功率功能，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为3.6nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为75A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT50SK170TG带电路图，包括单组态，设计用于250μa集电器最大截止电流，集电器Ic最大值如数据表注释所示，用于75A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及4.4nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为“是”，该器件采用SP4封装盒，该器件的最大功率为312W，供应商器件封装为SP4，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
APTGT50SK170D1G是IGBT 1700V 70A 310W D1，包括沟槽式场阻IGBT类型，设计用于标准输入，配置如数据表注释所示，用于提供NTC热敏电阻功能（如否）的单体，封装外壳设计用于D1，以及D1供应商设备包，该设备也可作为底盘安装安装型。此外，集电器Ic最大值为70A，该设备提供6mA集电器截止最大值，该设备具有4.4nF@25V的输入电容Cies Vce，功率最大值为310W，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，50A，集电器-发射极击穿最大值为1700V。
