9icnet为您提供由其他公司设计和生产的APTGT75A20TG，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。APTGT75A20TG参考价格为165.52378美元。其他APTGT75A20TG封装/规格：IGBT模块1200V 100A 350W SP4。您可以下载APTGT75A20TG英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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APTGT75A1202G带有引脚细节，包括SP2封装外壳，其设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表说明中显示了SP2中使用的供应商设备包，该设备提供了标准、配置等输入功能，设计用于半桥以及357W最大功率，该设备还可以用作110A电流收集器Ic最大值。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该器件提供50μA电流收集器截止最大值，该器件具有IGBT类型的沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为No。
APGT75A120D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括1200V集电器-发射极击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，数据表说明中显示了用于D1的供应商设备包，其提供最大功率功能，如357W，包壳设计用于D1，以及无NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5345nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为110A，集电器截止值最大值为4mA，配置为半桥。
APTGT750U60D4G带有电路图，包括单一配置，它们设计用于1mA电流收集器最大截止电流，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于1000A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计用于标准，以及49nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D4封装盒，该器件的最大功率为2300W，供应商器件封装为D4，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，800A，集电器发射器击穿最大值为600V。
