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APTGT75A20T1G是POWER MOD IGBT TRENCH PH LEG SP1，包括SP1封装盒，它们设计为与底盘安装型一起运行，供应商设备封装如数据表注释所示，用于SP1，提供标准、配置等输入功能，设计用于半桥，以及357W最大功率，该器件还可以用作110A集流器Ic最大值。此外，集流器-发射极击穿最大值为1200V，该器件提供250μA集流管截止最大值，该器件具有IGBT型沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT75A20TG带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于SP4的供应商设备包，该设备包提供功率最大值功能，如350W，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APGT75A120D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括半桥配置，它们设计为以4mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于110A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及5345nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为357W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
