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APTGT75A60T1G是IGBT PHASE LEG TRENCH 600V SP1，包括IGBT硅模块产品，它们设计用于散装包装，安装方式如数据表注释所示，用于螺丝，提供包装箱功能，如SP1，安装类型设计用于机箱安装，以及SP1供应商设备包，该设备也可以用作标准输入。此外，该配置为半桥，该设备提供250W最大功率，该设备具有100A的电流收集器Ic Max，电压收集器-发射器击穿最大值为600V，电流收集器截止最大值为250μa，IGBT类型为沟槽场阻，最大Vge Ic上的Vce为1.9V@15V，75A，输入电容Cies Vce为4.62nF@25V，NTC热敏电阻为Yes，Pd功耗为250W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-40 C，集电极-发射极电压VCEO Max为600 V，集电极/发射极饱和电压为1.5 V，25 C时的连续集电极电流为100 A，栅极-发射极漏电流为600 nA，最大栅极发射极电压为+/-20V。
APTGT75A20TG带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在2.1V@15V、75A Vce on Max Vge Ic下工作，数据表说明中显示了用于SP4的供应商设备包，该设备包提供功率最大值功能，如350W，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，该器件采用标准输入，该器件具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为100A，集电器截止值最大值为250μa，配置为半桥。
APTGT75A170D1G是IGBT MOD TRENCH PHASE LEG D1，包括半桥配置，它们设计为以5mA电流收集器最大截止电流运行，电流收集器Ic最大值如数据表注释所示，用于120A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及6.5nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件最大功率为520W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.4V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1700V。
