EconoPIM公司™ 2个650V三相PIM IGBT模块，带沟槽/场阻IGBT4、发射极控制4二极管和NTC
特色
- 将阻断电压能力提高到650V
- 高短路能力，自限短路电流
- 温度（vj op）=150°C
- 具有正温度系数的V（CEsat）
- 集成NTC温度传感器
- 隔离底板
- 铜基板
- 焊料接触技术
- 紧凑型模块概念
- 优化客户的开发周期时间和成本
- 配置灵活性
应用
潜在应用
FP75R07N2E4B16BOSA1
- 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 95 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2B
- 品牌: 英飞凌 (Infineon)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 10
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 10+ | 800.63016 | 8006.30166 |
- 库存: 0
- 单价: ¥800.63017
-
数量:
- +
- 总计: ¥8,006.30
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规格参数
- 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
- 部件状态 可供货
- IGBT型 场终止沟道
- 安装类别 机箱安装
- 包装/外壳 模块
- 参数配置 三相逆变器
- 集电极最大截止电流 1毫安
- 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度（TJ）
- NTC热敏电阻 Yes
- 集电极击穿电压 650 V
- 输入值 三相桥式整流器
- 最大功率 20毫瓦
- 最大集电极电流 (Ic) 95 A
- 输入电容 (Cies) @ Vce 4.6 nF @ 25 V
- 供应商设备包装 AG-ECONO2B
- 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95V@15V，75A
FP75R07N2E4B16BOSA1 产品详情
FP75R07N2E4B16BOSA1 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | FP75R12KT4PB11BPSA1 | 英飞凌 (Infineon) | 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 1200伏 最大集电极电流 (Ic): 150 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: Module | ¥950.5582 |
 | FP7103XR-LF | 暂无 | ¥2.09709 | |
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 | FP7102DR-LF | 暂无 | ¥1.32448 | |
| FP7123XR-G1 | 暂无 | ¥2.67991 | |
 | FP7208AXR-G1 | 暂无 | ¥2.69042 | |
| FP7209mR-G1 | 暂无 | ¥2.20746 | |
 | FP7209XR-G12 | 暂无 | ¥2.20698 |
FP75R07N2E4B16BOSA1所属分类：绝缘栅双极晶体管（IGBT）模块，FP75R07N2E4B16BOSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产，可通过久芯网进行购买。FP75R07N2E4B16BOSA1价格参考￥800.630166，你可以下载 FP75R07N2E4B16BOSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询FP75R07N2E4B16BOSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息！
英飞凌 (Infineon)
1999年4月1日，西门子半导体公司成为英飞凌科技公司。这是一家充满活力、更灵活的公司，致力于在竞争激烈、不断变化的微电子世界中取得成功。
