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FP75R07N2E4BPSA1

  • 描述:IGBT型: 场终止沟道 参数配置: 三相逆变器 集电极击穿电压: 650 V 最大集电极电流 (Ic): 95 A 最大功率: 20毫瓦 供应商设备包装: AG-ECONO2B
  • 品牌: 英飞凌 (Infineon)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 15

数量 单价 合计
15+ 803.96190 12059.42850
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  • 单价: ¥803.96190
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规格参数

  • 制造厂商 英飞凌 (Infineon)
  • 部件状态 可供货
  • IGBT型 场终止沟道
  • 安装类别 机箱安装
  • 包装/外壳 模块
  • 参数配置 三相逆变器
  • 集电极最大截止电流 1毫安
  • 工作温度 -40摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • NTC热敏电阻 Yes
  • 集电极击穿电压 650 V
  • 输入值 三相桥式整流器
  • 最大功率 20毫瓦
  • 最大集电极电流 (Ic) 95 A
  • 输入电容 (Cies) @ Vce 4.6 nF @ 25 V
  • 供应商设备包装 AG-ECONO2B
  • 导通电压 (Vce @ Vge,Ic) 1.95V@15V,75A
  • 样式 -

FP75R07N2E4BPSA1 产品详情

EconoPIM公司™ 2个650V三相PIM IGBT模块,带沟槽/场阻IGBT4、发射极控制4二极管和NTC

特色

  • 将阻断电压能力提高到650V
  • 高短路能力,自限短路电流
  • 温度(vj op)=150°C
  • 具有正温度系数的V(CEsat)
  • 集成NTC温度传感器
  • 隔离底板
  • 铜基板
  • 焊料接触技术
  • 紧凑型模块概念
  • 优化客户的开发周期时间和成本
  • 配置灵活性

应用

潜在应用

         
FP75R07N2E4BPSA1所属分类:绝缘栅双极晶体管(IGBT)模块,FP75R07N2E4BPSA1 由 英飞凌 (Infineon) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FP75R07N2E4BPSA1价格参考¥803.961900,你可以下载 FP75R07N2E4BPSA1中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FP75R07N2E4BPSA1规格参数、现货库存、封装信息等信息!
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