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APTGT75DA120T1G是IGBT 1200V 110A 357W SP1，包括SP1封装外壳，它们设计为与底盘安装安装型一起工作。数据表中显示了SP1中使用的供应商设备包，该设备提供标准、配置等输入功能，设计为单台工作，以及357W最大功率，该设备也可以用作110A电流收集器Ic Max。此外，电压收集器-发射器击穿最大值为1200V，该设备提供250μA电流收集器截止最大值，该设备具有IGBT类型的沟槽场停止，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，NTC热敏电阻为Yes。
APTGT75DA120TG带有用户指南，其中包括1200V电压收集器发射器击穿最大值，它们设计为在最大Vge Ic上以2.1V@15V、75A Vce运行，数据表说明中显示了SP4中使用的供应商设备包，提供357W等最大功率功能，包壳设计为在SP4中工作，以及Yes NTC热敏电阻，该设备也可以用作底盘安装型。此外，输入电容Cies Vce为5.34nF@25V，该设备提供标准输入，该设备具有IGBT型沟槽场阻，集电器Ic最大值为110A，集电器截止值最大值为250μa，配置为单一。
APTGT75DA120D1G是IGBT 1200V 110A 357W D1，包括单一配置，它们设计为在4mA集流器最大截止电流下工作，集流器Ic最大值如数据表注释所示，用于110A，提供IGBT类型的功能，如沟槽磁场停止，输入设计为标准工作，以及5345nF@25V输入电容Cies Vce，该设备也可以用作底盘安装型。此外，NTC热敏电阻为否，该器件采用D1封装，该器件的最大功率为357W，供应商器件封装为D1，最大Vge Ic上的Vce为2.1V@15V，75A，集电极-发射极击穿最大值为1200V。
