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FP75R12KT4_B15,带引脚细节,包括IGBT硅模块产品,它们设计为采用螺钉安装式操作,Pd功耗如数据表注释所示,用于385 W,最大工作温度范围为+150 C,最小工作温度范围-40 C,以及1200 V集电极-发射极电压VCEO Max,该器件也可用作2.15V集电极-发射极饱和电压。此外,25℃时的连续集电极电流为75 A,该器件提供100 nA栅极-发射极漏电流,该器件的最大栅极-发射极电压为+/-20 V。
FP75R12KE3V1,带有Eupec制造的用户指南。FP75R12KE3V1在模块包中提供,是模块的一部分。
FP75R12KT3是英飞凌制造的IGBT模块N-CH 1.2KV 105A。FP75R12KT3采用模块封装,是模块的一部分,支持IGBT模块N-CH 1.2KV 105A。
FP75R12KT4是英飞凌制造的1.85V IGBT 4 PIM模块。FP75R12KT4采用模块封装,是模块的一部分,支持IGBT模块1.85V IGBT 4 PIM。