9icnet为您提供由德州仪器公司设计和生产的CSD16406Q3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CSD16406Q3参考价格为1.908美元。德州仪器CSD16406Q3包装/规格：CSD16406Q4-25V，N通道NEXF。您可以下载CSD16406Q3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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CSD16403Q5A是MOSFET N-CH 25V 100A 8-SON，包括CSD16403Q 5A系列，它们设计用于卷盘封装，安装样式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供NexFET等商标功能，封装盒设计用于VSON-FET-8以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有3.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为9.2 ns，上升时间为18.3ns，Vgs栅极-源极电压为16 V，Id连续漏极电流为28 a，Vds漏极-源极击穿电压为25V，Vgs栅极-源极阈值电压为1.6V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.7mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为15.2ns，典型接通延迟时间为11.8ns，Qg栅极电荷为13.3nC，正向跨导最小值为91S，沟道模式为增强。
CSD16404Q5A是MOSFET N-CH 25V 81A 8-SON，包括1.8 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在16 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于25 V，具有典型的开启延迟时间特性，如7.8 ns，典型的关闭延迟时间设计为8.4 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为NexFET，该器件采用Si技术，该器件具有CSD16404Q5A系列，上升时间为13.4 ns，漏极源极电阻Rds为5.7 mOhms，Qg栅极电荷为6.5 nC，Pd功耗为3 W，封装为卷轴，封装外壳为VSON-FET-8，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为21 A，正向跨导最小值为57 S，下降时间为4.6 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
CSD16404带有TI制造的电路图。CSD16404采用QFN封装，是FET的一部分-单个。
