9icnet为您提供由Nexperia USA Inc.设计和生产的PMV48XPAR，该产品在9icnet现场销售，可以通过原厂和代理商等渠道购买。PMV48XPAR参考价格为1.054美元。Nexperia美国股份有限公司PMV48XPAR包装/规格：PMV48XP-20 V，P-CHANNEL TRENC。您可以下载PMV48XPAR英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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PMV45EN2R是MOSFET N-CH 30V SOT23，包括Digi-ReelR替代封装，它们设计用于SMD/SMT安装方式，封装盒如数据表注释所示，用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3，提供Si等技术特性，工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），以及表面安装安装类型，该设备也可以用作1信道数信道。此外，供应商设备包为TO-236AB（SOT23），该设备为单配置，该设备具有MOSFET N沟道、FET型金属氧化物，最大功率为510mW，晶体管类型为1 N沟道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为209pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为4.1A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为42 mOhm@4.1A，10V，Vgs最大Id为2V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为6.3nC@10V，Pd功耗为1.115 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2 ns，上升时间为12 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为5.1A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Vgs第th栅极-源阈值电压为1V，Rds导通漏极-漏极电阻为35mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11ns，典型导通延迟时间为3ns，Qg栅极电荷为3.6nC，前向跨导Min为8.7S，信道模式为增强。
PMV48XP，215是MOSFET P-CH 20V 3.5A SOT23，包括1.25V@250μA Vgs th Max Id，它们设计用于SOT-23（to-236AB）供应商设备包，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于55 mOhm@2.4A，4.5V，提供510 mW等功率最大功能，封装设计用于Digi-ReelR替代封装，以及to-236-3，SC-59，SOT-23-3包装箱，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1000pF@10V输入电容Cis-Vds，器件具有11nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为逻辑电平栅极，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为3.5A（Ta）。
带有VB制造的电路图的PMV48XP。PMV48XP可在SOT23封装中获得，是FET的一部分-单个。
采用NXP制造的EDA/CAD模型的PMV48XP/KNW。PMV48XP/KNW在SOT23-3封装中提供，是IC芯片的一部分。
